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M29W128GH70ZS1F PDF预览

M29W128GH70ZS1F

更新时间： 2024-11-08 21:22:35
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
94页 1941K
描述
Flash, 8MX16, 70ns, PBGA64, 11 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LBGA-64

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M29W128GH70ZS1F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：BGA
包装说明：LBGA, BGA64,8X8,40针数：64
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.31
最长访问时间：70 ns备用内存宽度：8
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PBGA-B64
长度：13 mm内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：128
端子数量：64字数：8388608 words
字数代码：8000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：8MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LBGA封装等效代码：BGA64,8X8,40
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
页面大小：8/16 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：1.4 mm
部门规模：128K最大待机电流：0.0001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：BALL端子节距：1 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：11 mm最长写入周期时间 (tWC)：0.00007 ms
Base Number Matches：1

M29W128GH70ZS1F 数据手册

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M29W128GH  
M29W128GL  
128-Mbit (16 Mbit x8 or 8 Mbit x16, page, uniform block)  
3 V supply flash memory  
Features  
BGA  
„ Supply voltage  
– VCC = 2.7 to 3.6 V for program, erase, read  
– VCCQ = 1.65 to 3.6 V for I/O buffers  
LBGA (ZS)  
11 x 13 mm  
TSOP56 (N)  
14 x 20 mm  
– VPPH = 12 V for fast program (optional)  
„ Asynchronous random/page read  
– Page size: 8 words or 16 bytes  
– Page access: 25, 30 ns  
BGA  
– Random access: 60 (only available upon  
customer request) or 70, 80 ns  
TBGA64 (ZA)  
10 x 13 mm  
„ Fast program commands  
– 32 words (64-byte write buffer)  
– Faster block and chip erase  
„ Enhanced buffered program commands  
„ VPP/WP pin for fast program and write: protects  
first or last block regardless of block protection  
settings  
– 256 words  
„ Programming time  
„ Software protection:  
– Volatile protection  
– 16 μs per byte/word typical  
– Chip program time: 5 s with VPPH and 8 s  
without VPPH  
– Non-volatile protection  
– Password protection  
„ Memory organization  
– M29128GH/L: 128 main blocks,  
128 Kbytes/64 Kwords each  
„ Common flash interface  
– 64-bit security code  
„ Program/erase controller  
„ 128-word extended memory block  
– Embedded byte/word program algorithms  
– Extra block used as security block or to  
store additional information  
„ Program/ erase suspend and resume  
– Read from any block during program  
suspend  
„ Low power consumption  
– Standby and automatic standby  
– Read and program another block during  
erase suspend  
„ Minimum 100,000 program/erase cycles per  
block  
„ Unlock Bypass/Block Erase/Chip Erase/Write  
„ RoHS compliant packages  
to Buffer/Enhanced Buffer Program commands  
„ Automotive device grade: Temperature -40 °C  
– Faster production/batch programming  
to 85 °C (Automotive grade certified)  
Table 1.  
Device summary  
Root part number  
Device code  
M29W128GH: uniform, last block protected by VPP/WP  
M29W128GL: uniform, first block protected by VPP/WP  
227Eh + 2221h + 2201h  
227Eh + 2221h + 2200h  
November 2008  
Rev 7  
1/94  
www.numonyx.com  
1
1234567...94

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与M29W128GH70ZS1F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W128GH70ZS3E MICRON

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 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GH70ZS6E NUMONYX

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 		Flash, 8MX16, 70ns, PBGA64, 11 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LBGA-64
M29W128GH70ZS6E MICRON

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 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GH70ZS6F MICRON

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 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GH7AN6E MICRON

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 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GH7AN6F MICRON

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 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GH7AZA6E MICRON

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 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GH7AZA6F NUMONYX

获取价格

 		Flash, 8MX16, 70ns, PBGA64, 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TBGA-64
M29W128GH7AZS6E MICRON

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 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GH90ZA6E STMICROELECTRONICS

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 		Flash, 8MX16, 90ns, PBGA64, 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TBGA-64

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