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M29W128FL70N6E

更新时间： 2024-09-20 20:28:03

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可编程只读存储器光电二极管内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
78页	463K
描述
8MX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-56

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M29W128FL70N6E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	14 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-56
针数：	56	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.41	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES	备用内存宽度：	8
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PDSO-G56
JESD-609代码：	e3/e6	长度：	18.4 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	256	端子数量：	56
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	8MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP56,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	页面大小：	8/16 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3/3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	64K
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.02 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	MATTE TIN/TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

M29W128FL70N6E 数据手册

M29W128FH

M29W128FL

128 Mbit (8Mb x 16 or 16Mb x 8, Page, Uniform Block)

3V Supply Flash Memory

Feature summary

■ Supply voltage

– V = 2.7 to 3.6V for Program, Erase and

Read

– V =12V for Fast Program (optional)

■ Asynchronous Random/Page Read

– Page Width: 8 Words/16 Bytes

– Page Access: 25, 30ns

TSOP56 (N)

14 x 20mm

– Random Access: 60, 70ns

BGA

■ Programming time

– 10µs per Byte/Word (typical)

– 4 Words / 8 Bytes Program

– 32-Word (64-Bytes) Write Buffer

TBGA64 (ZA)

10 x 13mm

■ 64 KByte (32 KWord) Uniform Blocks

■ Program/ Erase Suspend and Resume Modes

■ Electronic Signature

– Read from any Block during Program

Suspend

– Manufacturer Code: 0020h

– Device Code:

– Read and Program another Block during

Erase Suspend

M29W128FH: 227Eh + 2212h + 228Ah

M29W128FL: 227Eh + 2212h + 228Bh

■ Unlock Bypass Program

■ ECOPACK packages

– Faster Production/Batch Programming

■ Common Flash Interface

– 64 bit Security Code

■ 100,000 Program/Erase cycles per block

■ Low power consumption

– Standby and Automatic Standby

■ Hardware Block Protection

– V /WP pin for fast program and write

protect of the highest (M29W128FH) or

lowest block (M29W128FL)

■ Extended Memory Block:

Extra block used as security block or to store

additional information

November 2006

Rev 6

1/78

www.st.com

12 3 4 5 6 7...78

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M29W128FL70N6E 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
M29W128GL70N6F	MICRON	类似代替	128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GH70N6F	MICRON	类似代替	128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GL70N6E	MICRON	功能相似	128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory

与M29W128FL70N6E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M29W128FL70N6F	NUMONYX	获取价格	128 Mbit (8Mb x 16 or 16Mb x 8, Page, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory
M29W128FL70ZA6E	NUMONYX	获取价格	128 Mbit (8Mb x 16 or 16Mb x 8, Page, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory
M29W128FL70ZA6E	STMICROELECTRONICS	获取价格	8MX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PBGA64, 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, TBGA-64
M29W128FL70ZA6F	NUMONYX	获取价格	128 Mbit (8Mb x 16 or 16Mb x 8, Page, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory
M29W128GH	NUMONYX	获取价格	128 Mbit (16 Mb x 8 or 8 Mb x 16, page, uniform block) 3 V supply Flash memory
M29W128GH	MICRON	获取价格	Parallel NOR Flash Embedded Memory
M29W128GH60N6E	NUMONYX	获取价格	128 Mbit (16 Mb x 8 or 8 Mb x 16, page, uniform block) 3 V supply Flash memory
M29W128GH60N6F	NUMONYX	获取价格	128 Mbit (16 Mb x 8 or 8 Mb x 16, page, uniform block) 3 V supply Flash memory
M29W128GH60ZA6E	NUMONYX	获取价格	128 Mbit (16 Mb x 8 or 8 Mb x 16, page, uniform block) 3 V supply Flash memory
M29W128GH60ZA6E	MICRON	获取价格	128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory

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