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M29W128GL70ZA6F

更新时间： 2024-09-20 20:13:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
91页 799K
描述
8MX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PBGA64, 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TBGA-64

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M29W128GL70ZA6F 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：BGA包装说明：10 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TBGA-64
针数：64Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.31最长访问时间：70 ns
备用内存宽度：8命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PBGA-B64长度：13 mm
内存密度：134217728 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：128端子数量：64
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：8MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TBGA
封装等效代码：BGA64,8X8,40封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE页面大小：8/16 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：128K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：40切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：10 mm
Base Number Matches：1

M29W128GL70ZA6F 数据手册

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M29W128GH  
M29W128GL  
128 Mbit (16 Mb x 8 or 8 Mb x 16, page, uniform block)  
3 V supply Flash memory  
Preliminary Data  
Features  
■ Supply voltage  
– V = 2.7 to 3.6 V for Program, Erase and  
CC  
Read  
– V  
– V  
= 1.65 to 3.6 V for I/O buffers  
CCQ  
PPH  
TSOP56 (N)  
14 x 20 mm  
= 12 V for Fast Program (optional)  
■ Asynchronous Random/Page Read  
– Page size: 8 words  
BGA  
– Page access: 25, 30 ns  
– Random access: 70, 90 ns  
TBGA64 (ZA)  
10 x 13 mm  
■ Fast Program commands  
– 32-word (64-byte write buffer)  
– Faster Production/Batch Programming  
– Faster Block and Chip Erase  
■ Enhanced Buffered Program commands  
– 256-word  
■ V /WP pin for Fast Program and Write:  
■ Programming time  
PP  
protects first or last block regardless of block  
protection settings  
– 16 µs per byte/word typical  
– Chip program time:  
■ Software protection:  
– Volatile protection  
5 s with V  
PPH  
8 s without V  
PPH  
– Non-volatile protection  
– Password protection  
■ Memory organization  
– M29128GH/L: 128 main blocks,  
128 Kbytes/64 Kwords each  
■ Common Flash interface  
– 64 bit security code  
■ Program/Erase controller  
– Embedded byte/word program algorithms  
■ 128 word extended memory block  
– Extra block used as security block or to  
store additional information  
■ Program/ Erase Suspend and Resume  
– Read from any block during Program  
Suspend  
■ Low power consumption  
– Read and Program another block during  
Erase Suspend  
– Standby and automatic standby  
■ Minimum 100,000 Program/Erase cycles per  
■ Unlock Bypass/Block Erase/Chip Erase/Write  
to Buffer/Enhanced Buffered Program  
commands  
block  
®
■ ECOPACK packages  
Table 1.  
Device summary  
Root Part Number  
Device code  
M29W128GH: uniform, last block protected by VPP/WP  
M29W128GL: uniform, first block protected by VPP/WP  
227Eh + 2221h + 2201h  
227Eh + 2221h + 2200h  
October 2007  
Rev 2  
1/91  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to  
change without notice.  
www.st.com  
1
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M29W128GL70ZA6F 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
M29W128GL70ZA6F MICRON

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W128GL70ZS3E MICRON

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 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GL70ZS3F MICRON

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 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GL70ZS6E MICRON

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 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GL70ZS6F NUMONYX

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 		Flash, 8MX16, 70ns, PBGA64, 11 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LBGA-64
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 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GL7AN6E MICRON

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 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GL7AN6F MICRON

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 		Parallel NOR Flash Embedded Memory
M29W128GL7AN6F NUMONYX

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 		Flash, 8MX16, 70ns, PDSO56, 14 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-56
M29W128GL7AZA6E MICRON

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 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GL7AZS6E MICRON

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 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory

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