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M29W116BT70N6T PDF预览

M29W116BT70N6T

更新时间： 2024-09-20 19:59:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 157K
描述
2MX8 FLASH 2.7V PROM, 70ns, PDSO40, 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-40

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M29W116BT70N6T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-40
针数：40Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.92最长访问时间：70 ns
其他特性：TOP BOOT BLOCK启动块：TOP
命令用户界面：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PDSO-G40JESD-609代码：e0
长度：18.4 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1部门数/规模：1,2,1,31
端子数量：40字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：2MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装等效代码：TSSOP40,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3 V编程电压：2.7 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：16K,8K,32K,64K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：10 mmBase Number Matches：1

M29W116BT70N6T 数据手册

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M29W116BT  
M29W116BB  
16 Mbit (2Mb x8, Boot Block)  
Low Voltage Single Supply Flash Memory  
PRELIMINARY DATA  
■ SINGLE 2.7 to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for  
PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS  
■ ACCESS TIME: 70ns  
■ PROGRAMMING TIME  
– 10µs by Byte typical  
■ 35 MEMORY BLOCKS  
– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)  
– 2 Parameter and 32 Main Blocks  
■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER  
– Embedded Byte Program algorithm  
– Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm  
– Status Register Polling and Toggle Bits  
– Ready/Busy Output Pin  
TSOP40 (N)  
10 x 20mm  
■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
Figure 1. Logic Diagram  
■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION  
MODE  
V
CC  
■ SECURITY MEMORY BLOCK  
■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND  
– Faster Production/Batch Programming  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
21  
8
A0-A20  
DQ0-DQ7  
– Standby and Automatic Standby  
W
E
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
M29W116BT  
M29W116BB  
BLOCK  
■ 20 YEARS DATA RETENTION  
– Defectivity below 1 ppm/year  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
G
RB  
RP  
– M29W116BT Device Code: C7h  
– M29W116BB Device Code: 4Ch  
V
SS  
AI02972  
July 1999  
1/20  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.  
1234567...20

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与M29W116BT70N6T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W116BT90N1 STMICROELECTRONICS

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 		IC,EEPROM,NOR FLASH,2MX8,CMOS,TSSOP,40PIN,PLASTIC
M29W116BT90N1T STMICROELECTRONICS

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 		2MX8 FLASH 2.7V PROM, 90ns, PDSO40, 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-40
M29W116BT90N6 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		IC,EEPROM,NOR FLASH,2MX8,CMOS,TSSOP,40PIN,PLASTIC
M29W116BT90N6T STMICROELECTRONICS

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 		2MX8 FLASH 2.7V PROM, 90ns, PDSO40, 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-40
M29W128FH NUMONYX

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 		128 Mbit (8Mb x 16 or 16Mb x 8, Page, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory
M29W128FH60N6E NUMONYX

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