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Datasheet > 存储 > 闪存> M29W128FH70ZA6E
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M29W128FH70ZA6E

更新时间： 2024-09-20 03:11:39
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
78页 1564K
描述
128 Mbit (8Mb x 16 or 16Mb x 8, Page, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory

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M29W128FH70ZA6E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TBGA, BGA64,8X8,40针数：64
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.31
Is Samacsys：N最长访问时间：70 ns
备用内存宽度：8命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PBGA-B64长度：13 mm
内存密度：134217728 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：256端子数量：64
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：8MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TBGA
封装等效代码：BGA64,8X8,40封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE页面大小：8/16 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：64K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：10 mm
Base Number Matches：1

M29W128FH70ZA6E 数据手册

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M29W128FH  
M29W128FL  
128 Mbit (8Mb x 16 or 16Mb x 8, Page, Uniform Block)  
3V Supply Flash Memory  
Feature summary  
■ Supply voltage  
– VCC = 2.7 to 3.6V for Program, Erase and  
Read  
– VPP =12V for Fast Program (optional)  
■ Asynchronous Random/Page Read  
– Page Width: 8 Words/16 Bytes  
– Page Access: 25, 30ns  
TSOP56 (N)  
14 x 20mm  
– Random Access: 60, 70ns  
BGA  
■ Programming time  
– 10µs per Byte/Word (typical)  
– 4 Words / 8 Bytes Program  
– 32-Word (64-Bytes) Write Buffer  
TBGA64 (ZA)  
10 x 13mm  
■ 64 KByte (32 KWord) Uniform Blocks  
■ Program/ Erase Suspend and Resume Modes  
■ Electronic Signature  
– Read from any Block during Program  
Suspend  
– Manufacturer Code: 0020h  
– Device Code:  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
M29W128FH: 227Eh + 2212h + 228Ah  
M29W128FL: 227Eh + 2212h + 228Bh  
■ Unlock Bypass Program  
■ ECOPACK® packages  
– Faster Production/Batch Programming  
■ Common Flash Interface  
– 64 bit Security Code  
■ 100,000 Program/Erase cycles per block  
■ Low power consumption  
– Standby and Automatic Standby  
■ Hardware Block Protection  
– VPP/WP pin for fast program and write  
protect of the highest (M29W128FH) or  
lowest block (M29W128FL)  
■ Extended Memory Block:  
Extra block used as security block or to store  
additional information  
December 2007  
Rev 7  
1/78  
www.numonyx.com  
1
1234567...78

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M29W128FH70ZA6E 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
M29W128GL70ZA6E MICRON

功能相似

 128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GH70ZA6E MICRON

功能相似

 128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory

与M29W128FH70ZA6E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W128FH70ZA6F NUMONYX

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 		128 Mbit (8Mb x 16 or 16Mb x 8, Page, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory
M29W128FL NUMONYX

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M29W128FL60N6E NUMONYX

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 		128 Mbit (8Mb x 16 or 16Mb x 8, Page, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory
M29W128FL70N6E NUMONYX

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 		128 Mbit (8Mb x 16 or 16Mb x 8, Page, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory
M29W128FL70N6E STMICROELECTRONICS

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 		8MX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-56
M29W128FL70N6F NUMONYX

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 		128 Mbit (8Mb x 16 or 16Mb x 8, Page, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory
M29W128FL70ZA6E NUMONYX

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