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M29W116BT90N6

更新时间: 2024-11-08 19:42:51
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 1229K
描述
IC,EEPROM,NOR FLASH,2MX8,CMOS,TSSOP,40PIN,PLASTIC

M29W116BT90N6 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.92
Is Samacsys:N最长访问时间:90 ns
启动块:TOP命令用户界面:YES
数据轮询:YESJESD-30 代码:R-PDSO-G40
JESD-609代码:e0内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
部门数/规模:1,2,1,31端子数量:40
字数:2097152 words字数代码:2000000
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:2MX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装等效代码:TSSOP40,.8,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行:PARALLEL电源:3/3.3 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
部门规模:16K,8K,32K,64K最大待机电流:0.0001 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.02 mA
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL切换位:YES
类型:NOR TYPEBase Number Matches:1

M29W116BT90N6 数据手册

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与M29W116BT90N6相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W116BT90N6T STMICROELECTRONICS

获取价格

2MX8 FLASH 2.7V PROM, 90ns, PDSO40, 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-40
M29W128FH NUMONYX

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128 Mbit (8Mb x 16 or 16Mb x 8, Page, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory
M29W128FH60N6E NUMONYX

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128 Mbit (8Mb x 16 or 16Mb x 8, Page, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory
M29W128FH60N6F NUMONYX

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128 Mbit (8Mb x 16 or 16Mb x 8, Page, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory
M29W128FH60ZA6E NUMONYX

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128 Mbit (8Mb x 16 or 16Mb x 8, Page, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory
M29W128FH60ZA6F NUMONYX

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128 Mbit (8Mb x 16 or 16Mb x 8, Page, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory
M29W128FH70N6E NUMONYX

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128 Mbit (8Mb x 16 or 16Mb x 8, Page, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory
M29W128FH70N6F NUMONYX

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128 Mbit (8Mb x 16 or 16Mb x 8, Page, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory
M29W128FH70ZA6E NUMONYX

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128 Mbit (8Mb x 16 or 16Mb x 8, Page, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory
M29W128FH70ZA6E STMICROELECTRONICS

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8MX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PBGA64, 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, TBGA-64