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KTK5131E PDF预览

KTK5131E

更新时间： 2024-11-29 22:32:03
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体开关晶体管场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 430K
描述
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR (ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCH)

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KTK5131E 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.67Is Samacsys：N
其他特性：LOW THRESHOLD配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：0.05 A
最大漏源导通电阻：40 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

KTK5131E 数据手册

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KTK5131E  
SEMICONDUCTOR  
N CHANNEL MOS FIELD  
EFFECT TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS  
ANALOG SWITCH APPLICATIONS  
E
B
FEATURES  
MILLIMETERS  
DIM  
A
·2.5 Gate Drive.  
_
+
1.60 0.10  
D
·Low Threshold Voltage : Vth=0.5∼1.5V.  
·High Speed.  
_
+
2
1
B
0.85 0.10  
_
+
0.70 0.10  
C
D
E
3
0.27+0.10/-0.05  
_
·Small Package.  
+
1.60 0.10  
_
+
1.00 0.10  
G
H
·Enhancement-Mode.  
0.50  
_
0.13+0.05  
J
J
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)  
CHARACTERISTIC  
Drain-Source Voltage  
SYMBOL  
VDS  
VGSS  
ID  
RATING  
30  
UNIT  
V
1. SOURCE  
2. GATE  
Gate-Source Voltage  
DC Drain Current  
V
±20  
50  
3. DRAIN  
mA  
mW  
℃
PD  
Drain Power Dissipation  
Channel Temperature  
Storage Temperature Range  
100  
Tch  
150  
ESM  
Tstg  
-55∼150  
℃
EQUIVALENT CIRCUIT  
D
Marking  
G
Type Name  
K A  
S
THIS TRANSISTOR IS ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE.  
PLEASE HANDLE WITH CAUTION.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)  
CHARACTERISTIC  
Gate Leakage Current  
SYMBOL  
IGSS  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
VGS=±16V, VDS=0V  
ID=100μA, VGS=0V  
-
30  
-
-
-
±1  
μA  
V
V(BR)DSS  
IDSS  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Drain Cut-off Current  
-
1
VDS=30V, VGS=0V  
-
μA  
V
Vth  
VDS=3V, ID=0.1mA  
Gate Threshold Voltage  
Forward Transfer Admittance  
Drain-Source ON Resistance  
Input Capacitance  
0.5  
20  
-
-
1.5  
-
|Yfs|  
VDS=3V, ID=10mA  
-
mS  
RDS(ON)  
Ciss  
ID=10mA, VGS=2.5V  
VDS=3V, VGS=0V, f=1MHz  
VDS=3V, VGS=0V, f=1MHz  
VDS=3V, VGS=0V, f=1MHz  
15  
5.5  
1.6  
6.5  
140  
140  
40  
-
Ω
pF  
pF  
pF  
nS  
nS  
-
Crss  
Reverse Transfer Capacitance  
Output Capacitance  
-
-
Coss  
-
-
ton  
Turn-on Time  
Turn-off Time  
-
-
Switching  
Time  
VDD=3V, ID=10mA, VGS=0∼2.5V  
toff  
-
-
2002. 6. 17  
Revision No : 0  
1/3  
123

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