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KTK5162S PDF预览

KTK5162S

更新时间： 2024-11-19 22:32:03
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体开关晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 82K
描述
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR (ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCH)

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KTK5162S 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.74
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：0.1 A最大漏源导通电阻：7.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

KTK5162S 数据手册

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KTK5162S  
SEMICONDUCTOR  
N CHANNEL MOS FIELD  
EFFECT TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS  
ANALOG SWITCH APPLICATIONS  
E
L
B
L
EATURES  
DIM  
A
MILLIMETERS  
ᴌ2.5 Gate Drive.  
_
+
2.93 0.20  
B
C
D
E
1.30+0.20/-0.15  
1.30 MAX  
ᴌLow Threshold Voltage : Vth=0.5ᴕ1.5V.  
ᴌHigh Speed.  
ᴌSmall Package.  
2
3
0.45+0.15/-0.05  
2.40+0.30/-0.20  
1.90  
1
G
H
J
0.95  
0.13+0.10/-0.05  
ᴌEnhancement-Mode.  
K
L
0.00 ~ 0.10  
0.55  
P
P
0.20 MIN  
1.00+0.20/-0.10  
7
M
N
P
MAXIMUM RATINGS (Ta=25ᴱ)  
M
CHARACTERISTIC  
Drain-Source Voltage  
SYMBOL  
VDS  
VGSS  
ID  
RATING  
60  
UNIT  
V
1. SOURCE  
2. GATE  
Gate-Source Voltage  
DC Drain Current  
V
ᴦ20  
100  
3. DRAIN  
mA  
mW  
ᴱ
PD  
Drain Power Dissipation  
Channel Temperature  
Storage Temperature Range  
200  
SOT-23  
Tch  
150  
Tstg  
-55ᴕ150  
ᴱ
EQUIVALENT CIRCUIT  
D
Marking  
Lot No.  
G
Type Name  
KF  
S
THIS TRANSISTOR IS ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE.  
PLEASE HANDLE WITH CAUTION.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC  
Gate Leakage Current  
SYMBOL  
IGSS  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP. MAX. UNIT  
VGS=ᴦ16V, VDS=0V  
ID=100ỌA, VGS=0V  
-
60  
-
-
-
ᴦ1  
ỌA  
V
V(BR)DSS  
IDSS  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Drain Cut-off Current  
-
1
VDS=60V, VGS=0V  
-
ỌA  
V
Vth  
VDS=3V, ID=0.1mA  
Gate Threshold Voltage  
Forward Transfer Admittance  
Drain-Source ON Resistance  
Input Capacitance  
0.5  
85  
-
-
1.5  
-
|Yfs|  
VDS=10V, ID=50mA  
120  
22  
6.2  
1.5  
4.4  
10  
105  
mS  
RDS(ON)  
Ciss  
ID=10mA, VGS=2.5V  
40  
-
ή
pF  
pF  
pF  
nS  
nS  
VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz  
VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz  
VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz  
-
Crss  
Reverse Transfer Capacitance  
Output Capacitance  
-
-
Coss  
-
-
ton  
Turn-on Time  
Turn-off Time  
-
-
Switching Time  
VDD=25V, ID=50mA, VGS=0ᴕ2.5V  
toff  
-
-
2001. 10. 29  
Revision No : 0  
1/3  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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