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KTK920T

更新时间： 2024-11-18 11:32:23

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1页	424K
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TSQ PACKAGE

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KTK920T 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	3 V
最大漏极电流 (ID)：	0.01 A	最大漏源导通电阻：	20 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

KTK920T 数据手册

SEMICONDUCTOR

MARKING SPECIFICATION

KTK920T

TSQ PACKAGE

1. Marking method

Laser Marking

2. Marking

No.

Item

Marking

Description

KTK920T

Device Mark

* Lot No.

2006. 1st Week

[ 0 : 1st Chracter, 1:2nd Character ]

Note) * Lot No. marking method

Lot No.

Description

Remark

01 : 2006. 1st Week,

02 : 2006. 2nd Week

01, 02 ....51, 52

0A, 0B ....5A, 5B**

J1, J2 ....E1, E2**

JA, JB ....EA, EB**

51 : 2006. 51th Week,

52 : 2006. 52th Week.

0A : 2007. 1st Week,

0B : 2007. 2nd Week

Rotation for 4 years :

5A : 2007. 51th Week,

5B : 2007. 52th Week.

01...52 : ...2006, 2010, 2014...

0A...5B : ...2007, 20011, 2015...

J1...E2 : ...2008, 2012, 2016...

JA...EB : ...2009, 2013, 2017...

J1 : 2008. 1st Week,

J2 : 2008. 2nd Week

E1 : 2008. 51th Week,

E2 : 2008. 52th Week.

JA : 2009. 1st Week,

JB : 2009. 2nd Week

EA : 2009. 51th Week,

EB : 2009. 52th Week.

** : Meaning (A=1, B=2, C=3, D=4, E=5, F=6, G=7, H=8, I=9, J=0)

2006. 12. 27

Revision No : 0

1/1

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