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KTK951S

更新时间： 2024-11-18 11:32:23

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KEC		晶体晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	39K
描述
N CHANNEL JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

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KTK951S 技术参数

生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SOT-23, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.67
配置：	SINGLE	最大漏极电流 (ID)：	0.05 A
FET 技术：	JUNCTION	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

KTK951S 数据手册

KTK951S

SEMICONDUCTOR

N CHANNEL JUNCTION FIELD

EFFECT TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

LOW FREQUENCY /

HIGH FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATION

FEATURES

DIM

MILLIMETERS

· Low Gain Controlled Amplifier

High Transter Admittance

2.93 0.20

1.30+0.20/-0.15

1.30 MAX

0.45+0.15/-0.05

2.40+0.30/-0.20

1.90

0.95

0.13+0.10/-0.05

0.00 ~ 0.10

0.55

0.20 MIN

1.00+0.20/-0.10

Maximum Ratings (Ta=25

CHARACTERISTIC

Gate-Drain Voltage

Gate-Source Voltage

Gate Current

)

SYMBOL

V_GDO

V_GSO

I_G

RATING

-22

UNIT

1. SOURCE

2. DRAIN

3. GATE

-22

I_D

Drain Current

SOT-23

P_D

Drain Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_j

150

T_stg

-55~150

Marking

I_DSSRank

Lot No.

Type Name

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

Gate-Source Breakdown Voltage

Gate-Source Cut-off Voltage

Gate Leakage Currnet

SYMBOL

V_(BR)GSS

V_GS(OFF)

I_GSS

TEST CONDITIONS

MIN

-22

TYP MAX UNIT

V_DS=0V, I_G=-10㎂

V_DS=5V, I_D=10㎂

V_DS=0V, V_GS=-15V

-2.5

I_DSS(Note) V_DS=5V, V_GS=0V

Drain Current

y_fs

V_DS=5V, V_GS=0V, f=1kHz

V_DS=5V, V_GS=0V, f=1MHz

Forward Transfer Admittance

Input Capacitance

C_iss

Note : I_DSSClassification C : 12~22, D : 18~30, E : 27~40

2009. 5. 15

Revision No : 0

1/3

12 3

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