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KTK5164S PDF预览

KTK5164S

更新时间： 2024-11-17 22:32:03
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体开关晶体管场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 401K
描述
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR (ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCH)

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KTK5164S 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.68
Is Samacsys：N其他特性：LOW THRESHOLD
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：0.2 A最大漏源导通电阻：2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：18 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

KTK5164S 数据手册

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KTK5164S  
SEMICONDUCTOR  
N CHANNEL MOS FIELD  
EFFECT TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS  
ANALOG SWITCH APPLICATIONS  
E
L
B
L
FEATURES  
DIM  
A
MILLIMETERS  
_
2.5 Gate Drive.  
+
2.93 0.20  
B
C
D
E
1.30+0.20/-0.15  
1.30 MAX  
Low Threshold Voltage : Vth=0.5 1.5V.  
High Speed.  
2
3
0.45+0.15/-0.05  
2.40+0.30/-0.20  
1.90  
1
Small Package.  
G
H
J
0.95  
Enhancement-Mode.  
0.13+0.10/-0.05  
K
L
0.00 ~ 0.10  
0.55  
P
P
0.20 MIN  
1.00+0.20/-0.10  
7
M
N
P
MAXIMUM RATINGS (Ta=25  
CHARACTERISTIC  
)
SYMBOL  
VDS  
VGSS  
ID  
RATING  
60  
UNIT  
V
M
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
1. SOURCE  
2. GATE  
V
20  
DC Drain Current  
200  
mA  
mW  
3. DRAIN  
PD  
Drain Power Dissipation  
Channel Temperature  
200  
Tch  
150  
SOT-23  
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55 150  
EQUIVALENT CIRCUIT  
D
Marking  
Lot No.  
G
Type Name  
KM  
S
THIS TRANSISTOR IS ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE.  
PLEASE HANDLE WITH CAUTION.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25  
)
CHARACTERISTIC  
Gate Leakage Current  
SYMBOL  
IGSS  
TEST CONDITION  
16V, VDS=0V  
MIN.  
TYP. MAX. UNIT  
VGS  
=
-
60  
-
-
-
1
-
A
V(BR)DSS  
IDSS  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Drain Cut-off Current  
ID=100 A, VGS=0V  
V
VDS=60V, VGS=0V  
-
1
A
Vth  
VDS=10V, ID=1mA  
Gate Threshold Voltage  
Forward Transfer Admittance  
Drain-Source ON Resistance  
Input Capacitance  
0.5  
100  
-
-
1.5  
-
V
|Yfs|  
VDS=10V, ID=50mA  
-
mS  
RDS(ON)  
Ciss  
ID=50mA, VGS=2.5V  
1.5  
55  
13  
40  
2
VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz  
VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz  
VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz  
-
65  
18  
50  
pF  
pF  
pF  
Crss  
Reverse Transfer Capacitance  
Output Capacitance  
-
Coss  
-
I
=100mA  
D
V
tr  
ton  
tf  
Rise Time  
-
-
-
-
8
-
-
-
-
OUT  
10V  
0
V
IN  
Turn-on Time  
14  
35  
75  
Switching Time  
nS  
10µs  
Fall Time  
V
= 30V  
DD  
V
:t , t < 5ns  
r
f
IN  
toff  
Turn-off Time  
<
D.U. 1%  
(Z  
=50Ω)  
OUT  
=
2002. 10. 17  
Revision No : 1  
1/3  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KTK5164U KEC

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