5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > KTK5132S
KTK5132S PDF预览

KTK5132S

更新时间： 2024-11-29 22:32:03
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体开关晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 432K
描述
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR (ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCH)

阅读下载

中文翻译

获取价格

KTK5132S 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：SOT-23, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.81
其他特性：LOW THRESHOLD配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：0.1 A
最大漏源导通电阻：7 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

KTK5132S 数据手册

 浏览型号KTK5132S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KTK5132S的Datasheet PDF文件第3页 
KTK5132S  
SEMICONDUCTOR  
N CHANNEL MOS FIELD  
EFFECT TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS  
ANALOG SWITCH APPLICATIONS  
E
L
B
L
FEATURES  
DIM  
A
MILLIMETERS  
·2.5 Gate Drive.  
_
+
2.93 0.20  
B
C
D
E
1.30+0.20/-0.15  
1.30 MAX  
·Low Threshold Voltage : Vth=0.5∼1.5V.  
·High Speed.  
2
3
0.45+0.15/-0.05  
2.40+0.30/-0.20  
1.90  
1
·Small Package.  
G
H
J
0.95  
·Enhancement-Mode.  
0.13+0.10/-0.05  
K
L
0.00 ~ 0.10  
0.55  
P
P
0.20 MIN  
1.00+0.20/-0.10  
7
M
N
P
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)  
CHARACTERISTIC  
Drain-Source Voltage  
SYMBOL  
VDS  
VGSS  
ID  
RATING  
30  
UNIT  
V
M
1. SOURCE  
2. GATE  
Gate-Source Voltage  
DC Drain Current  
V
±20  
100  
3. DRAIN  
mA  
mW  
℃
PD  
Drain Power Dissipation  
Channel Temperature  
Storage Temperature Range  
200  
Tch  
150  
SOT-23  
Tstg  
-55∼150  
℃
EQUIVALENT CIRCUIT  
D
Marking  
Lot No.  
G
Type Name  
KB  
S
THIS TRANSISTOR IS ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE.  
PLEASE HANDLE WITH CAUTION.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)  
CHARACTERISTIC  
Gate Leakage Current  
SYMBOL  
IGSS  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP. MAX. UNIT  
VGS=±16V, VDS=0V  
ID=100μA, VGS=0V  
-
30  
-
-
-
±1  
μA  
V
V(BR)DSS  
IDSS  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Drain Cut-off Current  
-
1
1.5  
-
VDS=30V, VGS=0V  
-
μA  
V
Vth  
VDS=3V, ID=0.1mA  
Gate Threshold Voltage  
Forward Transfer Admittance  
Drain-Source ON Resistance  
Input Capacitance  
0.5  
25  
-
-
|Yfs|  
VDS=3V, ID=10mA  
-
mS  
RDS(ON)  
Ciss  
ID=10mA, VGS=2.5V  
VDS=3V, VGS=0V, f=1MHz  
VDS=3V, VGS=0V, f=1MHz  
VDS=3V, VGS=0V, f=1MHz  
4
7
-
Ω
pF  
pF  
pF  
nS  
nS  
-
8.5  
3.3  
9.3  
50  
180  
Crss  
Reverse Transfer Capacitance  
Output Capacitance  
-
-
Coss  
-
-
ton  
Turn-on Time  
Turn-off Time  
-
-
Switching Time  
VDD=5V, ID=10mA, VGS=0∼5V  
toff  
-
-
2002. 6. 21  
Revision No : 1  
1/3  
123

中文翻译

下载PDF

与KTK5132S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KTK5132U KEC

获取价格

 		ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS
KTK5132U_08 KEC

获取价格

 		N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
KTK5132V KEC

获取价格

 		N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
KTK5133S KEC

获取价格

 		N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR (ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCH)
KTK5134S KEC

获取价格

 		N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR (ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCH)
KTK5134S_12 KEC

获取价格

 		N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
KTK5162 KEC

获取价格

 		N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR (ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCH)
KTK5162S KEC

获取价格

 		N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR (ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCH)
KTK5162S_09 KEC

获取价格

 		N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
KTK5164S KEC

获取价格

 		N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR (ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCH)

与KTK5132S相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证