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KTK5132V PDF预览

KTK5132V

更新时间： 2024-11-17 11:32:23
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 89K
描述
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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KTK5132V 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.64其他特性：LOW THRESHOLD
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：0.1 A最大漏源导通电阻：7 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

KTK5132V 数据手册

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KTK5132V  
SEMICONDUCTOR  
N CHANNEL MOS FIELD  
EFFECT TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS  
ANALOG SWITCH APPLICATIONS  
E
B
FEATURES  
2.5 Gate Drive.  
Low Threshold Voltage : Vth=0.5 1.5V.  
High Speed.  
DIM MILLIMETERS  
2
1
_
1.2+0.05  
A
B
C
D
E
G
H
J
_
+
0.8 0.05  
Small Package.  
3
_
0.5+0.05  
_
+
0.3 0.05  
Enhancement-Mode.  
_
+
1.2 0.05  
_
0.8+0.05  
0.40  
_
P
P
+
0.12 0.05  
_
0.2+0.05  
K
P
MAXIMUM RATING (Ta=25  
CHARACTERISTIC  
)
5
SYMBOL  
VDS  
VGSS  
ID  
RATING  
30  
UNIT  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
1. SOURCE  
2. GATE  
V
20  
DC Drain Current  
100  
mA  
mW  
3. DRAIN  
PD  
Drain Power Dissipation  
Channel Temperature  
100  
Tch  
150  
VSM  
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55 150  
EQUIVALENT CIRCUIT  
D
Marking  
Type Name  
G
K B  
S
THIS TRANSISTOR IS ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE.  
PLEASE HANDLE WITH CAUTION.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25  
)
CHARACTERISTIC  
Gate Leakage Current  
SYMBOL  
IGSS  
TEST CONDITION  
16V, VDS=0V  
MIN.  
TYP. MAX. UNIT  
VGS  
=
-
30  
-
-
-
1
-
A
V(BR)DSS  
IDSS  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Drain Cut-off Current  
ID=100 A, VGS=0V  
V
VDS=30V, VGS=0V  
-
1
1.5  
-
A
Vth  
VDS=3V, ID=0.1mA  
Gate Threshold Voltage  
Forward Transfer Admittance  
Drain-Source ON Resistance  
Input Capacitance  
0.5  
25  
-
-
V
|Yfs|  
VDS=3V, ID=10mA  
-
mS  
RDS(ON)  
Ciss  
ID=10mA, VGS=2.5V  
VDS=3V, VGS=0V, f=1MHz  
VDS=3V, VGS=0V, f=1MHz  
VDS=3V, VGS=0V, f=1MHz  
4
7
-
-
8.5  
3.3  
9.3  
50  
180  
pF  
pF  
pF  
nS  
nS  
Crss  
Reverse Transfer Capacitance  
Output Capacitance  
-
-
Coss  
-
-
ton  
Turn-on Time  
Turn-off Time  
-
-
Switching Time  
VDD=5V, ID=10mA, VGS=0 5V  
toff  
-
-
2003. 7. 4  
Revision No : 0  
1/3  
123

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