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KTK5132U PDF预览

KTK5132U

更新时间： 2024-10-29 05:41:07
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体开关晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 53K
描述
ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS

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KTK5132U 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.63
其他特性：LOW THRESHOLD配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：0.1 A
最大漏源导通电阻：7 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

KTK5132U 数据手册

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KTK5132U  
SEMICONDUCTOR  
N CHANNEL MOS FIELD  
EFFECT TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS  
ANALOG SWITCH APPLICATIONS  
E
FEATURES  
M
B
M
DIM MILLIMETERS  
_
2.5 Gate Drive.  
A
B
C
D
E
2.00+0.20  
D
2
1
Low Threshold Voltage : Vth=0.5 1.5V.  
High Speed.  
_
1.25+ 0.15  
_
+
0.90 0.10  
3
0.3+0.10/-0.05  
_
2.10 + 0.20  
Small Package.  
G
H
J
0.65  
0.15+0.1/-0.06  
1.30  
Enhancement-Mode.  
K
L
0.00-0.10  
0.70  
H
_
0.42+0.10  
M
N
MAXIMUM RATING (Ta=25  
CHARACTERISTIC  
)
0.10 MIN  
N
N
K
SYMBOL  
VDS  
RATING  
30  
UNIT  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
1. SOURCE  
2. GATE  
VGSS  
ID  
V
20  
100  
200  
150  
3. DRAIN  
DC Drain Current  
mA  
mW  
PD *  
Tch  
Drain Power Dissipation  
Channel Temperature  
USM  
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55 150  
Note) * Package Mounted On 99.5% Alumina 10  
8
0.6  
)
EQUIVALENT CIRCUIT  
D
Marking  
Type Name  
G
K B  
S
THIS TRANSISTOR IS ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE.  
PLEASE HANDLE WITH CAUTION.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25  
)
CHARACTERISTIC  
Gate Leakage Current  
SYMBOL  
IGSS  
TEST CONDITION  
16V, VDS=0V  
MIN. TYP. MAX. UNIT  
-
30  
-
-
-
VGS  
=
1
-
A
V(BR)DSS  
IDSS  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Drain Cut-off Current  
V
ID=100 A, VGS=0V  
VDS=30V, VGS=0V  
-
1
1.5  
-
A
Vth  
VDS=3V, ID=0.1mA  
Gate Threshold Voltage  
Forward Transfer Admittance  
Drain-Source ON Resistance  
Input Capacitance  
0.5  
25  
-
-
V
|Yfs|  
VDS=3V, ID=10mA  
-
mS  
RDS(ON)  
Ciss  
ID=10mA, VGS=2.5V  
VDS=3V, VGS=0V, f=1MHz  
VDS=3V, VGS=0V, f=1MHz  
VDS=3V, VGS=0V, f=1MHz  
4
7
-
-
8.5  
3.3  
9.3  
50  
180  
pF  
pF  
pF  
nS  
nS  
Crss  
Reverse Transfer Capacitance  
Output Capacitance  
-
-
Coss  
-
-
ton  
Turn-on Time  
Turn-off Time  
-
-
Switching Time  
VDD=5V, ID=10mA, VGS=0 5V  
toff  
-
-
2003. 7. 8  
Revision No : 0  
1/3  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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