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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.74 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 6 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSH42C-I | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSH42C-I | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSH42CTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications |
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| KSH42CTF | ONSEMI |
获取价格 |
PNP外延硅晶体管 |
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| KSH42CTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
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| KSH42CTM | ONSEMI |
获取价格 |
PNP外延硅晶体管 |
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| KSH42I | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| KSH42-I | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| KSH42-I | FAIRCHILD |
获取价格 |
6 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, IPAK-3 |
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| KSH44H11 | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Purpose Power and Switching Such as Output or Driver Stages in Applications D-PAK |
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