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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.19 | 最大集电极电流 (IC)： | 8 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSH44H11I | FAIRCHILD |
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General Purpose Power and Switching Such as Output or Driver Stages in Applications D-PAK |
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| KSH44H11-I | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Purpose Power and Switching Such as Output or Driver Stages in Applications D-PAK |
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| KSH44H11-I | SAMSUNG |
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| KSH44H11ITU | FAIRCHILD |
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NPN Epitaxial Silicon Transistor |
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| KSH44H11ITU | ONSEMI |
获取价格 |
NPN 外延硅晶体管 |
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| KSH44H11TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Purpose Power and Switching |
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| KSH44H11TF | ONSEMI |
获取价格 |
NPN 外延硅晶体管 |
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| KSH44H11-TF | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 |
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| KSH44H11TF_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252AA, Plasti |
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| KSH44H11TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Epitaxial Silicon Transistor |
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