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KSH42-I PDF预览

KSH42-I

更新时间： 2024-09-15 18:04:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 314K
描述
6 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, IPAK-3

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KSH42-I 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：IPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.74最大集电极电流 (IC)：6 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzBase Number Matches：1

KSH42-I 数据手册

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KSH42/42C  
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR  
GENERAL PURPOSE AMPLIFIER  
LOW SPEED SWITCHING APPLICATIONS  
D-PACK FOR SURFACE MOUNT  
D-PAK  
APPLICATIONS  
· Load Formed for Surface Mount Application (No Suffix)  
· Straight Lead (I.PACK, “- I” Suffix)  
1
· Electrically Similar to Popular TIP42 and TIP42C  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
1. Base 2. Collector 3. Emitter  
Characteristic  
Collector Base Voltage  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
-100  
-100  
-5  
Unit  
V
I-PAK  
Collector Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
V
V
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
-6  
A
IC  
-10  
A
1
IB  
-2  
A
PC  
20  
W
W
°C  
°C  
Collector Dissipation (TC=25°C)  
Collector Dissipation (TA=25°C)  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
PC  
1.75  
150  
1. Base 2. Collector 3. Emitter  
TJ  
TSTG  
-65 ~ 150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC =25°C)  
Characteristic  
* Collector Emitter Sustaining Voltage  
Collector Cutoff Current  
Collector Cutoff Current  
Emitter Cutoff Current  
Symbol  
VCEO(sus)  
ICEO  
Test Conditions  
Min  
Max  
Unit  
V
IC = - 30mA, IB = 0  
-100  
VCE = -60V, IB = 0  
VCE = -100V, VBE = 0  
VBE = -5V, IC = 0  
-50  
-10  
mA  
mA  
mA  
ICES  
IEBO  
-0.5  
* DC Current Gain  
hFE  
VCE = -4V, IC = -0.3A  
VCE = -4V, IC = -3A  
IC = -6A, IB = -600mA  
VCE = -6A, IC = -4A  
VCE = -10V, IC = -500mA  
f = 1MHz  
30  
15  
75  
-1.5  
-2  
* Collector Emitter Saturation Voltage  
* Base Emitter On Voltage  
VCE(sat)  
VBE(on)  
fT  
V
V
Current Gain Bandwidth Product  
3
MHz  
l
Pulse Test: PW£300ms, Duty Cycle£2%  
Rev. B  
ã
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234

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