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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> KSH44H11-I
KSH44H11-I PDF预览

KSH44H11-I

更新时间： 2024-09-14 21:53:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体驱动器晶体管开关
页数 文件大小 规格书
5页 41K
描述
General Purpose Power and Switching Such as Output or Driver Stages in Applications D-PAK for Surface Mount Applications

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KSH44H11-I 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.27
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：20 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

KSH44H11-I 数据手册

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KSH44H11  
General Purpose Power and Switching Such  
as Output or Driver Stages in Applications  
D-PAK for Surface Mount Applications  
•
•
•
•
•
Lead Formed for Surface Mount Application (No Suffix)  
Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix)  
Electrically Similar to Popular KSE44H  
Fast Switching Speeds  
D-PAK  
I-PAK  
1
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
Low Collector Emitter Saturation Voltage  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
80  
CEO  
EBO  
5
8
V
I
I
Collector Current (DC)  
Collector-Current (Pulse)  
A
C
16  
A
CP  
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
20  
W
W
°C  
°C  
C
C
Collector Dissipation (T =25°C)  
1.75  
150  
a
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
I
= 30mA, I = 0  
80  
V
CEO  
CEO  
EBO  
C
B
I
I
V
V
= 80V, I = 0  
10  
50  
µA  
µA  
CE  
BE  
B
= 5V, I = 0  
C
h
DC Current Gain  
V
V
= 1V, I = 2A  
60  
40  
FE  
CE  
CE  
C
= 1V, I = 4A  
C
V
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
Turn On Time  
I
I
= 8A, I = 0.4A  
1
V
V
CE  
BE  
C
C
B
(on)  
= 8A, I = 0.8A  
1.5  
B
f
V
V
= 10V, I = 0.5A  
50  
130  
300  
500  
140  
MHz  
pF  
ns  
T
CE  
CB  
C
C
=10V, f = 1MHz  
ob  
t
t
t
I
I
= 5A  
ON  
C
= - I = 0.5A  
Storage Time  
B1  
B2  
ns  
STG  
F
Fall Time  
ns  
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A3, October 2002  
12345

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