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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.74 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 6 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSH42-I | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSH42-I | FAIRCHILD |
获取价格 |
6 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, IPAK-3 |
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| KSH44H11 | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Purpose Power and Switching Such as Output or Driver Stages in Applications D-PAK |
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| KSH44H11 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 |
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| KSH44H11I | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Purpose Power and Switching Such as Output or Driver Stages in Applications D-PAK |
|
| KSH44H11-I | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Purpose Power and Switching Such as Output or Driver Stages in Applications D-PAK |
|
| KSH44H11-I | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| KSH44H11ITU | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Epitaxial Silicon Transistor |
|
| KSH44H11ITU | ONSEMI |
获取价格 |
NPN 外延硅晶体管 |
|
| KSH44H11TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Purpose Power and Switching |
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