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KSH44H11TF_NL

更新时间： 2024-11-05 20:41:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 39K
描述
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252AA, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3/2

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KSH44H11TF_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252AA包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.21最大集电极电流 (IC)：8 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：20 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

KSH44H11TF_NL 数据手册

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KSH44H11  
General Purpose Power and Switching Such  
as Output or Driver Stages in Applications  
D-PAK for Surface Mount Applications  
•
•
•
•
•
Lead Formed for Surface Mount Application (No Suffix)  
Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix)  
Electrically Similar to Popular KSE44H  
Fast Switching Speeds  
D-PAK  
I-PAK  
1
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
Low Collector Emitter Saturation Voltage  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
80  
CEO  
EBO  
5
8
V
I
I
Collector Current (DC)  
Collector-Current (Pulse)  
A
C
16  
A
CP  
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
20  
W
W
°C  
°C  
C
C
Collector Dissipation (T =25°C)  
1.75  
150  
a
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
I
= 30mA, I = 0  
80  
V
CEO  
CEO  
EBO  
C
B
I
I
V
V
= 80V, I = 0  
10  
50  
µA  
µA  
CE  
BE  
B
= 5V, I = 0  
C
h
DC Current Gain  
V
V
= 1V, I = 2A  
60  
40  
FE  
CE  
CE  
C
= 1V, I = 4A  
C
V
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
Turn On Time  
I
I
= 8A, I = 0.4A  
1
V
V
CE  
BE  
C
C
B
(on)  
= 8A, I = 0.8A  
1.5  
B
f
V
V
= 10V, I = 0.5A  
50  
130  
300  
500  
140  
MHz  
pF  
ns  
T
CE  
CB  
C
C
=10V, f = 1MHz  
ob  
t
t
t
I
I
= 5A  
ON  
C
= - I = 0.5A  
Storage Time  
B1  
B2  
ns  
STG  
F
Fall Time  
ns  
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A3, October 2002  
12345

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与KSH44H11TF_NL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSH44H11TM FAIRCHILD

获取价格

 		NPN Epitaxial Silicon Transistor
KSH44H11TM ONSEMI

获取价格

 		NPN 外延硅晶体管
KSH45H11 FAIRCHILD

获取价格

 		General Purpose Power and Switching Such as Output or Driver Stages in Applications D-PAK
KSH45H11I FAIRCHILD

获取价格

 		8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251, IPAK-3
KSH45H11-I FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
KSH45H11ITU ONSEMI

获取价格

 		PNP 外延硅晶体管
KSH45H11TF ROCHESTER

获取价格

 		8A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252, DPAK-3
KSH45H11TF ONSEMI

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 		PNP 外延硅晶体管
KSH45H11TM ROCHESTER

获取价格

 		8A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252, DPAK-3
KSH45H11TM FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/

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