KSC5302DM

更新时间： 2024-11-08 22:35:59

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描述
High Voltage & High Speed Power Switch Application

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KSC5302DM 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIP
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

KSC5302DM 数据手册

KSC5302DM

High Voltage & High Speed

Power Switch Application

Equivalent Circuit

•

High breakdown Voltage :BV

=800V

CBO

Built-in Free-wheeling Diode makes efficient anti saturation operation

Suitable for half bridge light ballast Applications

No need to interest an h value because of low variable storage-time

TO-126

spread even though corner spirit product

Low base drive requirement

1. Emitter 2.Collector 3.Base

•

NPN Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Value

800

400

Units

Collector-Base Voltage

CBO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current (DC)

*Collector Current (Pulse)

Base Current (DC)

CEO

EBO

*Base Current (Pulse)

Power Dissipation(T =25°C)

150

°C

Junction Temperature

Storage Temperature

- 55 ~ 150

°C

STG

Thermal Characteristics ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Characteristics

Junction to Case

Junction to Ambient

Rating

5.0

Unit

Thermal Resistance

°C/W

θjc

θja

62.5

Rev. B1, December 2002

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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KSC5302DTU	FAIRCHILD	获取价格	High Voltage High Speed Power Switch Application
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