KSC5305DF

更新时间： 2024-01-11 02:47:51

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关高压
页数	文件大小	规格书
6页	105K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220F, 3 PIN

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KSC5305DF 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	End Of Life
包装说明：	LEAD FREE, TO-220, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	6.31
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小直流电流增益 (hFE)：	8
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	75 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

KSC5305DF 数据手册

KSC5305D

High Voltage High Speed Power Switch

Application

Equivalent Circuit

•

Built-in Free-wheeling Diode makes efficient anti saturation operation

Suitable for half bridge light ballast Applications

No need to interest an hFE value because of low variable storage-time

spread even though corner spirit product

TO-220

•

Low base drive requirement

1.Base 2.Collector 3.Emitter

NPN Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Value

800

400

Units

Collector Base Voltage

CBO

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current (DC)

*Collector Current (Pulse)

Base Current (DC)

CEO

EBO

*Base Current (Pulse)

Power Dissipation(T =25°C)

°C

Junction Temperature

Storage Temperature

150

- 65 ~ 150

°C

STG

Thermal Characteristics ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Characteristics

Junction to Case

Junction to Ambient

Rating

1.65

Unit

Thermal Resistance

°C/W

θjc

θja

62.5

Rev. A1, June 2001

12 3 4 5 6

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