KSC5305DF

更新时间： 2024-01-13 19:24:11

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关高压
页数	文件大小	规格书
6页	105K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220F, 3 PIN

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KSC5305DF 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	End Of Life
包装说明：	LEAD FREE, TO-220, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	6.31
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小直流电流增益 (hFE)：	8
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	75 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

KSC5305DF 数据手册

Typical Characteristics

100

I_B= 500mA

I_B= 450mA

I_B= 400mA

V_CE= 1V

T_a= 125^oC

I_B= 350mA

25^oC

-25^oC

I_B= 300mA

I_B= 250mA

I_B= 200mA

I_B= 150mA

I_B= 100mA

I_B= 50mA

I_B= 0

0.01

0.1

I_C[A], COLLECTOR CURRENT

V_CE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE

Figure 1. Static Characteristic

Figure 2. DC current Gain

100

I_C= 10 I_B

V_CE= 5V

T_a= 125^oC

25^oC

-20^oC

V_BE(sat)

V_CE(sat)

0.1

0.01

0.1

0.01

0.1

I_C[A], COLLECTOR CURRENT

Figure 3. DC current Gain

Figure 4. Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

I_C= 5I_B

25^oC

I_C= 5I_B

T_a= 125^oC

-20^oC

25^oC

T_a= 125^oC

0.1

0.01

0.1

0.01

0.1

I_C[A], COLLECTOR CURRENT

Figure 5. Collector-Emitter Saturation Voltage

Figure 6. Base-Emitter Saturation Voltage

Rev. A1, June 2001

1 234 5 6

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