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KDS221V

更新时间： 2024-10-30 11:29:27

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KEC		二极管光电二极管局域网
页数	文件大小	规格书
2页	75K
描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

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KDS221V 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.72	Is Samacsys：	N
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.1 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	20 V
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

KDS221V 数据手册

SEMICONDUCTOR

KDS221V

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

TECHNICAL DATA

ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION.

FEATURES

Low Forward Voltage : V_F=1.0V (Max.).

Small Package : VSM.

DIM MILLIMETERS

1.2 +0.05

0.8 +0.05

0.5+0.05

0.3+0.05

1.2+0.05

0.8+0.05

0.40

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

0.12+0.05

0.2+0.05

SYMBOL

V_RM

V_R

RATING

UNIT

Maximum (Peak) Reverse Voltage

Reverse Voltage

1. CATHODE 1

2. ANODE 2

I_FM

Maximum (Peak) Forward Current

Average Forward Current

Surge Current (1 s)

200 *

100 *

300 *

100

3. ANODE 1 / CATHODE 2

I_O

I_FSM

P_D

Power Dissipation

VSM

T_j

Junction Temperature

150

T_stg

Storage Temperature Range

-55 150

Note : * Unit Rating. Total Rating=Unit Rating x 0.7

Marking

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

Forward Voltage

Reverse Current

SYMBOL

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

1.0

UNIT

V_F

I_R

I_F=10mA

V_R=15V

0.1

2003. 10. 28

Revision No : 0

1/2

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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