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KDS2236S

更新时间: 2024-10-29 22:32:23
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KEC 二极管变容二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 202K
描述
VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

KDS2236S 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SOT-23
包装说明:SOT-23, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.83
最小击穿电压:15 V配置:SINGLE
二极管电容容差:33.33%最小二极管电容比:0.21
标称二极管电容:10.5 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODE频带:VERY HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE最小质量因数:70
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL变容二极管分类:ABRUPT

KDS2236S 数据手册

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