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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | SOT-23, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.83 |
| 最小击穿电压： | 15 V | 配置： | SINGLE |
| 二极管电容容差： | 33.33% | 最小二极管电容比： | 0.21 |
| 标称二极管电容： | 10.5 pF | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | 频带： | VERY HIGH FREQUENCY |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 最小质量因数： | 70 |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 变容二极管分类： | ABRUPT |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KDS226 | KEC |
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SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING) |
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| KDS226 | TYSEMI |
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Low Forward Voltage.:VF=0.9V |
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| KDS2572 | TYSEMI |
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RDS(ON) = 0.040 (Typ.), VGS = 10V Maximized efficiency at high frequencies |
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| KDS2572 | KEXIN |
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N-Channel UltraFET Trench MOSFET |
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| KDS-29008 | ETC |
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Speaker - Mylar Cone |
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| KDS33 | CK-COMPONENTS |
获取价格 |
Intrusion Switches |
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| KDS33 | ITT |
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Intrusion Switches |
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| KDS33 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Intrusion Switch |
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| KDS3512 | TYSEMI |
获取价格 |
4.0 A, 80 V. RDS(ON) = 70m VGS = 10 V High power and current handling capability |
|
| KDS3512 | KEXIN |
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80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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