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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | BGA, | 针数： | 119 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 1.7 ns | 其他特性： | PIPELINED ARCHITECTURE |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B119 | 长度： | 22 mm |
| 内存密度： | 37748736 bit | 内存集成电路类型： | LATE-WRITE SRAM |
| 内存宽度： | 18 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 119 | 字数： | 2097152 words |
| 字数代码： | 2000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 2MX18 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 2.21 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 宽度： | 14 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K7P323666M | SAMSUNG |
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1Mx36 & 2Mx18 SRAM |
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| K7P323666M-GC250 | SAMSUNG |
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Late-Write SRAM, 1MX36, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA |
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| K7P323666M-GC25T | SAMSUNG |
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SRAM |
|
| K7P323666M-GC300 | SAMSUNG |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| K7P323666M-HC250 | SAMSUNG |
获取价格 |
Late-Write SRAM, 1MX36, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119 |
|
| K7P323674C | SAMSUNG |
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1Mx36 & 2Mx18 SRAM |
|
| K7P323674C-GC250 | SAMSUNG |
获取价格 |
Late-Write SRAM, 1MX36, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA |
|
| K7P323674C-HC250 | SAMSUNG |
获取价格 |
Late-Write SRAM, 1MX36, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119 |
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| K7P323674C-HC300 | SAMSUNG |
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Late-Write SRAM, 1MX36, 1.6ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119 |
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| K7P323688M-GC25 | SAMSUNG |
获取价格 |
SRAM |
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