是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | BGA, BGA119,7X17,50 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.88 | 最长访问时间: | 2 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PBGA-B119 |
内存密度: | 4718592 bit | 内存集成电路类型: | LATE-WRITE SRAM |
内存宽度: | 18 | 端子数量: | 119 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 256KX18 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | BGA | 封装等效代码: | BGA119,7X17,50 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 1.5,3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.06 A |
最小待机电流: | 3.15 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.5 mA | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | BOTTOM | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K7P401811A-HC27T | SAMSUNG |
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Late-Write SRAM, 256KX18, 1.9ns, CMOS, PBGA119 | |
K7P401811A-HC300 | SAMSUNG |
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Late-Write SRAM, 256KX18, 1.8ns, CMOS, PBGA119 | |
K7P401811A-HC30T | SAMSUNG |
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Late-Write SRAM, 256KX18, 1.8ns, CMOS, PBGA119 | |
K7P401822B-HC16 | SAMSUNG |
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128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM | |
K7P401822B-HC160 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 256KX18, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 | |
K7P401822B-HC20 | SAMSUNG |
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128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM | |
K7P401822B-HC25 | SAMSUNG |
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128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM | |
K7P401822B-HC250 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX18, 2.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 | |
K7P401822M-H16 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM | |
K7P401822M-H1600 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX18, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 |