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K7P401822B-HC160

更新时间： 2024-11-11 14:28:23

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	280K
描述
Standard SRAM, 256KX18, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119

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K7P401822B-HC160 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	BGA,	针数：	119
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	3 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码：	R-PBGA-B119	长度：	22 mm
内存密度：	4718592 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	18	功能数量：	1
端子数量：	119	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX18	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	最大供电电压 (Vsup)：	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.15 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

K7P401822B-HC160 数据手册

K7P403622B

K7P401822B

128Kx36 & 256Kx18 SRAM

Document Title

128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM

Revision History

Rev. No.

History

Draft Date

Remark

Rev. 0.0

- Initial Document.

May. 2002

Preliminary

Rev. 0.1

Rev. 0.2

- Update Pin Discription. (M2=VDDQ -> M2=VDD)

- Add AC characteristics. (250Mhz, 166Mhz)

Oct. 2002

Jan. 2003

Preliminary

- Update DC CHARACTERISTICS

x36 : IDD25 : TBD -> 370, IDD20 -> 340, IDD16 -> 320.

x18 : IDD25 : TBD -> 360, IDD20 -> 330, IDD16 -> 310.

Rev. 1.0

Rev. 1.1

Rev. 1.2

- Final Version

Jun. 2003

Jul. 2003

Final

- Add single ended or differential LVTTL clock Inputs on clock comment.

- Change AC Characteristics

tKHQV : 25 - 2.5ns, 20 - 2.7ns

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the

right to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters

of this device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or cortact Headquarters.

Jul. 2003

Rev 1.2

- 1 -

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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K7P401822M-HC160	SAMSUNG	获取价格	Late-Write SRAM, 256KX18, 3ns, CMOS, PBGA119

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