是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | BGA, BGA119,7X17,50 |
针数: | 119 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.92 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 3 ns | 其他特性: | ALSO REQUIRES 2.5V I/O SUPPLY |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PBGA-B119 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 22 mm |
内存密度: | 4718592 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 18 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 119 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 256KX18 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | BGA |
封装等效代码: | BGA119,7X17,50 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 2.5,3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.06 A | 最小待机电流: | 3.15 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.55 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.45 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.15 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | BOTTOM |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K7P401822M-H1600 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX18, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 | |
K7P401822M-H19 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM | |
K7P401822M-H1900 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 | |
K7P401822M-H20 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM | |
K7P401822M-H2000 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX18, 2.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 | |
K7P401822M-HC160 | SAMSUNG |
获取价格 |
Late-Write SRAM, 256KX18, 3ns, CMOS, PBGA119 | |
K7P401822M-HC190 | SAMSUNG |
获取价格 |
Late-Write SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119 | |
K7P401822M-HC19T | SAMSUNG |
获取价格 |
Late-Write SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119 | |
K7P401822M-HC200 | SAMSUNG |
获取价格 |
Late-Write SRAM, 256KX18, 2.5ns, CMOS, PBGA119 | |
K7P401822M-HC20T | SAMSUNG |
获取价格 |
Late-Write SRAM, 256KX18, 2.5ns, CMOS, PBGA119 |