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K7P401822M-HC160

更新时间： 2024-11-11 19:52:11

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	240K
描述
Late-Write SRAM, 256KX18, 3ns, CMOS, PBGA119

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K7P401822M-HC160 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	BGA, BGA119,7X17,50	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.88	最长访问时间：	3 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B119
内存密度：	4718592 bit	内存集成电路类型：	LATE-WRITE SRAM
内存宽度：	18	端子数量：	119
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX18
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA119,7X17,50
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	电源：	2.5,3.3 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.06 A
最小待机电流：	3.15 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.55 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	BOTTOM	Base Number Matches：	1

K7P401822M-HC160 数据手册

K7P403622M

K7P401822M

128Kx36 & 256Kx18 SRAM

Document Title

128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM

Revision History

Draft Date

Remark

Rev. No.

Rev. 0.0

Rev. 0.1

History

Preliminary

- Preliminary specification release

- Change specification format.

No change was made in parameters.

April, 1997

Jan. 1998

Preliminary

Final

- Updated IDD, ISB and Input High Level.

Updated tKHKL, tKLKH, tKHQX, tKHQX1 and AC Test Conditions.

For JTAG, updated Vendor Definition and added tSVCH/tCHSX.

Rev. 0.2

Rev. 1.0

- Final specification release

Dec. 1998

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or cortact Headquarters.

Dec. 1998

- 1 -

Rev 1.0

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