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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | BGA, BGA119,7X17,50 |
| 针数： | 119 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 3 ns |
| 其他特性： | ALSO REQUIRES 2.5V I/O SUPPLY | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B119 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 22 mm | 内存密度： | 4718592 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 36 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 119 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128KX36 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA | 封装等效代码： | BGA119,7X17,50 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 2.5,3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.06 A |
| 最小待机电流： | 3.15 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.6 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.45 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3.15 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 宽度： | 14 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K7P403622M-H1600 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX36, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 |
|
| K7P403622M-H19 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM |
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| K7P403622M-H1900 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 |
|
| K7P403622M-H20 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM |
|
| K7P403622M-H2000 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX36, 2.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 |
|
| K7P403622M-HC16T | SAMSUNG |
获取价格 |
Late-Write SRAM, 128KX36, 3ns, CMOS, PBGA119 |
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| K7P403622M-HC19T | SAMSUNG |
获取价格 |
Late-Write SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119 |
|
| K7P403622M-HC200 | SAMSUNG |
获取价格 |
Late-Write SRAM, 128KX36, 2.5ns, CMOS, PBGA119 |
|
| K7P403622M-HC20T | SAMSUNG |
获取价格 |
Late-Write SRAM, 128KX36, 2.5ns, CMOS, PBGA119 |
|
| K7P403623B | SAMSUNG |
获取价格 |
128Kx36 & 256Kx18 SRAM |
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