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K7P403622M-HC200

更新时间： 2024-11-11 19:52:11
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 240K
描述
Late-Write SRAM, 128KX36, 2.5ns, CMOS, PBGA119

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K7P403622M-HC200 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：BGA, BGA119,7X17,50Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.88最长访问时间：2.5 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PBGA-B119
内存密度：4718592 bit内存集成电路类型：LATE-WRITE SRAM
内存宽度：36端子数量：119
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：128KX36
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：BGA封装等效代码：BGA119,7X17,50
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
并行/串行：PARALLEL电源：2.5,3.3 V
认证状态：Not Qualified最大待机电流：0.06 A
最小待机电流：3.15 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.65 mA表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：BALL端子节距：1.27 mm
端子位置：BOTTOMBase Number Matches：1

K7P403622M-HC200 数据手册

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K7P403622M  
K7P401822M  
128Kx36 & 256Kx18 SRAM  
Document Title  
128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM  
Revision History  
Draft Date  
Remark  
Rev. No.  
Rev. 0.0  
Rev. 0.1  
History  
Preliminary  
Preliminary  
- Preliminary specification release  
- Change specification format.  
No change was made in parameters.  
April, 1997  
Jan. 1998  
Preliminary  
Final  
- Updated IDD, ISB and Input High Level.  
Updated tKHKL, tKLKH, tKHQX, tKHQX1 and AC Test Conditions.  
For JTAG, updated Vendor Definition and added tSVCH/tCHSX.  
Rev. 0.2  
Rev. 1.0  
- Final specification release  
Dec. 1998  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the  
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-  
tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or cortact Headquarters.  
Dec. 1998  
- 1 -  
Rev 1.0  
1234567...12

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与K7P403622M-HC200相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K7P403622M-HC20T SAMSUNG

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 		Late-Write SRAM, 128KX36, 2.5ns, CMOS, PBGA119
K7P403623B SAMSUNG

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 		Application Specific SRAM, 128KX36, 6.5ns, CMOS, PBGA119
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