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K7P403623M-H70

更新时间： 2024-11-11 14:43:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	334K
描述
Standard SRAM, 128KX36, 7ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119

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K7P403623M-H70 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	BGA, BGA119,7X17,50
针数：	119	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	7 ns	其他特性：	ALSO REQUIRES 2.5V I/O SUPPLY
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B119
JESD-609代码：	e0	长度：	22 mm
内存密度：	4718592 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	36	功能数量：	1
端子数量：	119	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128KX36	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA119,7X17,50	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
电源：	2.5,3.3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.06 A	最小待机电流：	3.15 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.55 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.45 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

K7P403623M-H70 数据手册

K7P403623M

K7P401823M

128Kx36 & 256Kx18 SRAM

Document Title

128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM

Revision History

Rev.No.

History

DraftDate

Remark

Rev. 0.0

- Preliminary specification release

Preliminary

- Change specification format.

No change was made in parameters.

Rev. 0.1

Rev. 0.2

Preliminary

April, 1997

Jan. 1998

- Updated Part Number and Pin Description.

Updated and added Input/Output Voltage Level and VDDQ

Updated DC Characteristics and Pin Capacitance.

Updated AC Characteristics, Test Conditions and Timing Wave Form.

For JTAG, updated Vendor Definition and added tSVCH/tCHSX.

- Updated PECL Clock Input Level, Output Leakage Current

Updated 119 BGA Package Thermal Characteristics

Rev. 0.3

Preliminary

Final

Aug. 1998

- Final specification release

Rev. 1.0

Rev. 2.0

Dec. 1998

Oct. 2000

- Single ended LVCMOS clock operation added

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or cortact Headquarters.

Rev 2.0

Oct. 2000

- 1 -

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与K7P403623M-H70相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K7P403623M-H7000	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX36, 7ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119
K7P403623M-H7500	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119
K7P403623M-HC650	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX36, 6.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119
K7P403623M-HC65T	SAMSUNG	获取价格	Application Specific SRAM, 128KX36, 6.5ns, CMOS, PBGA119
K7P403623M-HC70T	SAMSUNG	获取价格	Application Specific SRAM, 128KX36, 7ns, CMOS, PBGA119
K7P403623M-HC750	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119
K7P403623M-HC75T	SAMSUNG	获取价格	Application Specific SRAM, 128KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA119
K7P403666A-H25T	SAMSUNG	获取价格	SRAM
K7P403666A-H27T	SAMSUNG	获取价格	SRAM
K7P801811B	SAMSUNG	获取价格	256Kx36 & 512Kx18 Synchronous Pipelined SRAM

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