Datasheet > K7P801811B-HC250

K7P801811B-HC250

更新时间： 2024-11-11 15:36:11

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	357K
描述
Standard SRAM, 512KX18, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K7P801811B-HC250 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	BGA,
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.78	最长访问时间：	2 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE, SEATED HT-CALCULATED	JESD-30 代码：	R-PBGA-B119
长度：	22 mm	内存密度：	9437184 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	18
功能数量：	1	端子数量：	119
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX18
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	座面最大高度：	2.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.45 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

K7P801811B-HC250 数据手册

K7P803611B

K7P801811B

Preliminary

256Kx36 & 512Kx18 SRAM

Document Title

256Kx36 & 512Kx18 Synchronous Pipelined SRAM

Revision History

Rev.No.

History

Draft Date

Remark

Rev. 0.0

- Initial Document.

Feb. 2001

Preliminary

Rev. 1.0

Rev. 2.0

Rev. 3.0

Rev. 4.0

- Final specification release

May. 2001

Jan. 2002

Mar. 2002

Aug. 2002

Final

- Absolute Maximum Rating VDDQ changed from 2.825V to 2.4V.

- Function Description modified

- Add -HC27 part (Part Number, Idd, AC Characteristics)

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the

right to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters

of this device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or cortact Headquarters.

Aug. 2002

Rev 4.0

- 1 -

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

与K7P801811B-HC250相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K7P801811B-HC27	SAMSUNG	获取价格	256Kx36 & 512Kx18 Synchronous Pipelined SRAM
K7P801811B-HC270	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 512KX18, 1.85ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119
K7P801811B-HC30	SAMSUNG	获取价格	256Kx36 & 512Kx18 Synchronous Pipelined SRAM
K7P801811B-HC33	SAMSUNG	获取价格	256Kx36 & 512Kx18 Synchronous Pipelined SRAM
K7P801811B-HC330	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 512KX18, 1.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119
K7P801811B-HC33T	SAMSUNG	获取价格	Late-Write SRAM, 512KX18, 1.5ns, CMOS, PBGA119
K7P801811M	SAMSUNG	获取价格	256Kx36 & 512Kx18 SRAM
K7P801811M-H20	SAMSUNG	获取价格	256Kx36 & 512Kx18 SRAM
K7P801811M-H2000	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 512KX18, 2.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119
K7P801811M-H21	SAMSUNG	获取价格	256Kx36 & 512Kx18 SRAM