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K7P801811B-HC27 PDF预览

K7P801811B-HC27

更新时间： 2024-11-11 11:27:43
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
13页 253K
描述
256Kx36 & 512Kx18 Synchronous Pipelined SRAM

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K7P801811B-HC27 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：BGA, BGA119,7X17,50
针数：119Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.86最长访问时间：1.85 ns
其他特性：PIPELINED ARCHITECTUREI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PBGA-B119JESD-609代码：e0
长度：22 mm内存密度：9437184 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：18
功能数量：1端子数量：119
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：512KX18
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：BGA封装等效代码：BGA119,7X17,50
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
并行/串行：PARALLEL电源：1.5,3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.2 mm
最大待机电流：0.07 A最小待机电流：3.15 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.53 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.45 V最小供电电压 (Vsup)：3.15 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：BALL
端子节距：1.27 mm端子位置：BOTTOM
宽度：14 mmBase Number Matches：1

K7P801811B-HC27 数据手册

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K7P803611B  
K7P801811B  
Preliminary  
256Kx36 & 512Kx18 SRAM  
Document Title  
256Kx36 & 512Kx18 Synchronous Pipelined SRAM  
Revision History  
Rev.No.  
History  
Draft Date  
Remark  
Rev. 0.0  
- Initial Document.  
Feb. 2001  
Preliminary  
Rev. 1.0  
Rev. 2.0  
Rev. 3.0  
Rev. 4.0  
- Final specification release  
May. 2001  
Jan. 2002  
Mar. 2002  
Aug. 2002  
Final  
Final  
Final  
Final  
- Absolute Maximum Rating VDDQ changed from 2.825V to 2.4V.  
- Function Description modified  
- Add -HC27 part (Part Number, Idd, AC Characteristics)  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the  
right to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters  
of this device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or cortact Headquarters.  
Aug. 2002  
Rev 4.0  
- 1 -  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K7P801811B-HC270 SAMSUNG

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