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K7P401822B-HC16

更新时间： 2024-11-10 22:23:11
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三星 - SAMSUNG 静态存储器
页数 文件大小 规格书
13页 281K
描述
128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM

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K7P401822B-HC16 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：BGA, BGA119,7X17,50
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.92
最长访问时间：3 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PBGA-B119JESD-609代码：e0
内存密度：4718592 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：18端子数量：119
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：256KX18
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：BGA封装等效代码：BGA119,7X17,50
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：2.5/3.3,3.3 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.12 A最小待机电流：3.15 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.31 mA
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：BALL端子节距：1.27 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

K7P401822B-HC16 数据手册

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K7P403622B  
K7P401822B  
128Kx36 & 256Kx18 SRAM  
Document Title  
128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM  
Revision History  
Rev. No.  
History  
Draft Date  
Remark  
Rev. 0.0  
- Initial Document.  
May. 2002  
Preliminary  
Rev. 0.1  
Rev. 0.2  
- Update Pin Discription. (M2=VDDQ -> M2=VDD)  
- Add AC characteristics. (250Mhz, 166Mhz)  
Oct. 2002  
Jan. 2003  
Preliminary  
Preliminary  
- Update DC CHARACTERISTICS  
x36 : IDD25 : TBD -> 370, IDD20 -> 340, IDD16 -> 320.  
x18 : IDD25 : TBD -> 360, IDD20 -> 330, IDD16 -> 310.  
Rev. 1.0  
Rev. 1.1  
Rev. 1.2  
- Final Version  
Jun. 2003  
Jul. 2003  
Jul. 2003  
Final  
Final  
Final  
- Add single ended or differential LVTTL clock Inputs on clock comment.  
- Change AC Characteristics  
tKHQV : 25 - 2.5ns, 20 - 2.7ns  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the  
right to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters  
of this device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or cortact Headquarters.  
Jul. 2003  
Rev 1.2  
- 1 -  
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与K7P401822B-HC16相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K7P401822B-HC160 SAMSUNG

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 		Standard SRAM, 256KX18, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119
K7P401822B-HC20 SAMSUNG

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 		128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM
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 		Standard SRAM, 256KX18, 2.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119
K7P401822M-H16 SAMSUNG

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 		128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM
K7P401822M-H1600 SAMSUNG

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 		Standard SRAM, 256KX18, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119
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K7P401822M-H2000 SAMSUNG

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