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K7P323674C-HC300

更新时间： 2024-11-14 19:12:47

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	450K
描述
Late-Write SRAM, 1MX36, 1.6ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119

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K7P323674C-HC300 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	BGA, BGA119,7X17,50
针数：	119	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.88	最长访问时间：	1.6 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	最大时钟频率 (fCLK)：	300 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B119
JESD-609代码：	e0	长度：	22 mm
内存密度：	37748736 bit	内存集成电路类型：	LATE-WRITE SRAM
内存宽度：	36	功能数量：	1
端子数量：	119	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX36	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA119,7X17,50	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.21 mm
最大待机电流：	0.07 A	最小待机电流：	2.37 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.62 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.63 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.37 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	BALL
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

K7P323674C-HC300 数据手册

K7P323674C

K7P321874C

1Mx36 & 2Mx18 SRAM

36Mb Late Write SRAM Specification

119BGA with Pb & Pb-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

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or defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.2 February 2007

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K7P323688M-GC25	SAMSUNG	获取价格	SRAM
K7P323688M-GC250	SAMSUNG	获取价格	Late-Write SRAM, 1MX36, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA
K7P323688M-GC30	SAMSUNG	获取价格	SRAM
K7P323688M-GC300	SAMSUNG	获取价格	Late-Write SRAM, 1MX36, 1.7ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, B
K7P323688M-HC25	SAMSUNG	获取价格	SRAM
K7P323688M-HC250	SAMSUNG	获取价格	Late-Write SRAM, 1MX36, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119
K7P323688M-HC30	SAMSUNG	获取价格	SRAM
K7P323688M-HC300	SAMSUNG	获取价格	Late-Write SRAM, 1MX36, 1.7ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119
K7P401811A-H2500	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119
K7P401811A-H27	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 1.9ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119

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