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K7P323688M-GC300

更新时间： 2024-11-14 15:36:11

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	390K
描述
Late-Write SRAM, 1MX36, 1.7ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA-119

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K7P323688M-GC300 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	BGA,	针数：	119
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	1.7 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码：	R-PBGA-B119	长度：	22 mm
内存密度：	37748736 bit	内存集成电路类型：	LATE-WRITE SRAM
内存宽度：	36	功能数量：	1
端子数量：	119	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX36	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.21 mm
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

K7P323688M-GC300 数据手册

K7P323688M

K7P321888M

1Mx36 & 2Mx18 SRAM

32Mb M-die LW SRAM Specification

119BGA with Pb & Pb-Free

(RoHS compliant)

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AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Dec. 2005

Rev 1.3

- 1 -

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K7P323688M-HC25	SAMSUNG	获取价格	SRAM
K7P323688M-HC250	SAMSUNG	获取价格	Late-Write SRAM, 1MX36, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119
K7P323688M-HC30	SAMSUNG	获取价格	SRAM
K7P323688M-HC300	SAMSUNG	获取价格	Late-Write SRAM, 1MX36, 1.7ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119
K7P401811A-H2500	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119
K7P401811A-H27	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 1.9ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119
K7P401811A-H2700	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 1.9ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119
K7P401811A-H30	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 1.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119
K7P401811A-H3000	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 1.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119
K7P401811A-HC250	SAMSUNG	获取价格	Late-Write SRAM, 256KX18, 2ns, CMOS, PBGA119

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