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K7P401811A-H2500

更新时间： 2024-11-14 21:01:43

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	294K
描述
Standard SRAM, 256KX18, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119

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K7P401811A-H2500 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	BGA,
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.8	最长访问时间：	2 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE, SEATED HT-CALCULATED	JESD-30 代码：	R-PBGA-B119
长度：	22 mm	内存密度：	4718592 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	18
功能数量：	1	端子数量：	119
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX18
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	座面最大高度：	2.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.45 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

K7P403611A

K7P401811A

128Kx36 & 256Kx18 SRAM

Document Title

128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM

Revision History

Draft Date

Remark

Rev.No.

History

Mar. 1999

Nov. 1999

Preliminary

Final

0.0

1.0

- Preliminary specification release

- Final specification release

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the

right to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters

of this device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or cortact Headquarters.

Rev 1.0

Nov. 1999

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K7P401811A-H27	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 1.9ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119
K7P401811A-H2700	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 1.9ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119
K7P401811A-H30	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 1.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119
K7P401811A-H3000	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 1.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119
K7P401811A-HC250	SAMSUNG	获取价格	Late-Write SRAM, 256KX18, 2ns, CMOS, PBGA119
K7P401811A-HC25T	SAMSUNG	获取价格	Late-Write SRAM, 256KX18, 2ns, CMOS, PBGA119
K7P401811A-HC27T	SAMSUNG	获取价格	Late-Write SRAM, 256KX18, 1.9ns, CMOS, PBGA119
K7P401811A-HC300	SAMSUNG	获取价格	Late-Write SRAM, 256KX18, 1.8ns, CMOS, PBGA119
K7P401811A-HC30T	SAMSUNG	获取价格	Late-Write SRAM, 256KX18, 1.8ns, CMOS, PBGA119
K7P401822B-HC16	SAMSUNG	获取价格	128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM