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K7P321888M-HC250

更新时间： 2024-11-14 14:51:51

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	390K
描述
Late-Write SRAM, 2MX18, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119

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K7P321888M-HC250 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	BGA,	针数：	119
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	2 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	JESD-30 代码：	R-PBGA-B119
长度：	22 mm	内存密度：	37748736 bit
内存集成电路类型：	LATE-WRITE SRAM	内存宽度：	18
功能数量：	1	端子数量：	119
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX18
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.21 mm	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

K7P321888M-HC250 数据手册

K7P323688M

K7P321888M

1Mx36 & 2Mx18 SRAM

32Mb M-die LW SRAM Specification

119BGA with Pb & Pb-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

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or defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Dec. 2005

Rev 1.3

- 1 -

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K7P321888M-HC30	SAMSUNG	获取价格	SRAM
K7P321888M-HC300	SAMSUNG	获取价格	Late-Write SRAM, 2MX18, 1.7ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119
K7P323666M	SAMSUNG	获取价格	1Mx36 & 2Mx18 SRAM
K7P323666M-GC250	SAMSUNG	获取价格	Late-Write SRAM, 1MX36, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA
K7P323666M-GC25T	SAMSUNG	获取价格	SRAM
K7P323666M-GC300	SAMSUNG	获取价格	暂无描述
K7P323666M-HC250	SAMSUNG	获取价格	Late-Write SRAM, 1MX36, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119
K7P323674C	SAMSUNG	获取价格	1Mx36 & 2Mx18 SRAM
K7P323674C-GC250	SAMSUNG	获取价格	Late-Write SRAM, 1MX36, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA
K7P323674C-HC250	SAMSUNG	获取价格	Late-Write SRAM, 1MX36, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119

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