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K7N327245M-HC20 PDF预览

K7N327245M-HC20

更新时间： 2024-09-08 20:57:39
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 472K
描述
ZBT SRAM, 512KX72, 3.2ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209

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K7N327245M-HC20 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：BGA, BGA209,11X19,40
针数：209Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.92最长访问时间：3.2 ns
最大时钟频率 (fCLK)：200 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PBGA-B209JESD-609代码：e0
长度：22 mm内存密度：37748736 bit
内存集成电路类型：ZBT SRAM内存宽度：72
功能数量：1端子数量：209
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：512KX72
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：BGA封装等效代码：BGA209,11X19,40
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：2.5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.2 mm最大待机电流：0.01 A
最小待机电流：2.38 V子类别：SRAMs
最大供电电压 (Vsup)：2.625 V最小供电电压 (Vsup)：2.375 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：14 mm
Base Number Matches：1

K7N327245M-HC20 数据手册

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Preliminary  
K7N327245M  
512Kx72 Pipelined NtRAMTM  
Document Title  
512Kx72-Bit Pipelined NtRAMTM  
Revision History  
Draft Date  
Remark  
Rev.No.  
History  
Preliminary  
Preliminary  
May. 10. 2001  
Dec. 31. 2001  
0.0  
0.1  
1. Initial document.  
1. Speed bin merge.  
From K7N327249M to K7N327245M  
2. AC parameter change.  
tOH(min)/tLZC(min) from 0.8 to 1.5 at -25  
tOH(min)/tLZC(min) from 1.0 to 1.5 at -22  
tOH(min)/tLZC(min) from 1.0 to 1.5 at -20  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the  
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-  
tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.  
December 2001  
Rev 0.1  
- 1 -  
1234567...20

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K7N327245M-HC200 SAMSUNG

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