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K7N401801A-QC15

更新时间： 2024-09-08 14:51:51

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	386K
描述
ZBT SRAM, 256KX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100

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K7N401801A-QC15 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	QFP, QFP100,.63X.87
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.92
最长访问时间：	3.8 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	149 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e0	内存密度：	4718592 bit
内存集成电路类型：	ZBT SRAM	内存宽度：	18
湿度敏感等级：	3	端子数量：	100
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX18
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QFP	封装等效代码：	QFP100,.63X.87
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2.5/3.3,3.3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.05 A	最小待机电流：	3.14 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.39 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

K7N401801A-QC15 数据手册

K7N403601A

K7N401801A

128Kx36 & 256Kx18 Pipelined NtRAM^TM

Document Title

128Kx36 & 256Kx18-Bit Pipelined NtRAM^TM

Revision History

Rev.No.

History

Draft Date

Remark

0.0

1. Initial document.

Jan. 20. 2000

April. 03. 2000

Preliminary

0.1

1. Changed DC condition at Icc and ISB.

Icc ; from 350mA to 400mA at -16,

from 340mA to 390mA at -15,

from 310mA to 360mA at -13,

ISB ; from 130mA to 140mA at -16,

from 120mA to 130mA at -15,

from 120mA to 130mA at -13,

1.0

1. Final spec release

May. 15. 2000

Final

2. Changed input & output capacitance.

CIN

; from 6pF to 5pF,

COUT ; from 8pF to 7pF,

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

- 1 -

May 2000

Rev 1.0

12 3 4 5 6 7...17

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