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K7N401801M-PC100

更新时间： 2024-09-14 13:59:31

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	388K
描述
ZBT SRAM, 256KX18, 5ns, CMOS, PQFP100

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K7N401801M-PC100 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Objectid：	114795728	Reach Compliance Code：	compliant
compound_id：	210270993	风险等级：	5.8
最长访问时间：	5 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
内存密度：	4718592 bit	内存集成电路类型：	ZBT SRAM
内存宽度：	18	端子数量：	100
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX18
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QFP	封装等效代码：	QFP100,.63X.87
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	电源：	2.5/3.3,3.3 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.03 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.25 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	QUAD	Base Number Matches：	1

K7N401801M-PC100 数据手册

K7N403601M

K7N401801M

128Kx36 & 256Kx18 Pipelined NtRAM^TM

Document Title

128Kx36 & 256Kx18-Bit Pipelined NtRAM^TM

Revision History

Rev.No.

History

Draft Date

Remark

0.0

1. Initial document.

July.06. 1998

Oct. 10 . 1998

Preliminary

0.1

1. Changed tCD,tOE from 4.0ns to 4.2ns at -75

2. Changed DC condition at Icc and parameters

ISB1 ; from 10mA to 30mA,

ISB2 ; from 10mA to 30mA.

0.2

0.3

1.0

2.0

3.0

Add VDDQ Supply voltage( 2.5V I/O )

Changed VOL Max value from 0.2V to 0.4V at 2.5V I/O.

Final spec Release.

Dec. 10. 1998

Dec. 23. 1998

Jan. 29. 1999

Feb. 25. 1999

May. 13. 1999

Preliminary

Final

Remove VDDQ Supply voltage( 2.5V I/O )

Add VDDQ Supply voltage( 2.5V I/O )

Final

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

- 1 -

May 1999

Rev 3.0

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