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K7N401809B-QI200

更新时间: 2024-09-15 15:36:11
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三星 - SAMSUNG 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 387K
描述
ZBT SRAM, 256KX18, 2.8ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

K7N401809B-QI200 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:QFP
包装说明:LQFP,针数:100
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.6
最长访问时间:2.8 ns其他特性:PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码:R-PQFP-G100长度:20 mm
内存密度:4718592 bit内存集成电路类型:ZBT SRAM
内存宽度:18功能数量:1
端子数量:100字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256KX18封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LQFP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.6 mm
最大供电电压 (Vsup):3.465 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:QUAD宽度:14 mm
Base Number Matches:1

K7N401809B-QI200 数据手册

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K7N403609B  
K7N401809B  
128Kx36 & 256Kx18 Pipelined NtRAMTM  
Document Title  
128Kx36 & 256Kx18-Bit Pipelined NtRAMTM  
Revision History  
Rev.No.  
History  
Draft Date  
Remark  
0.0  
0.1  
1. Initial document.  
May. 15. 2001  
June. 12. 2001  
Preliminary  
Preliminary  
1. Changed DC parameters  
Icc ; from 470mA to 400mA at -25,  
from 440mA to 360mA at -22,  
from 400mA to 330mA at -20,  
from 370mA to 310mA at -18,  
ISB ; from 180mA to 160mA at -25,  
from 170mA to 155mA at -22,  
from 160mA to 150mA at -20,  
from 150mA to 140mA at -18,  
ISB1 ; from 100mA to 80mA  
0.2  
1.0  
1. Add x32 org. and industrial temperature  
Aug. 11. 2001  
Nov. 15. 2001  
Preliminary  
Final  
1. Final spec release  
2. Changed Pin Capacitance  
- Cin ; from 5pF to 4pF  
- Cout ; from 7pF to 6pF  
2.0  
1. Remove x32 organization.  
2. Remove -25/-22 speed bin  
Nov. 17. 2003  
Final  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the  
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-  
tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.  
- 1 -  
Nov. 2003  
Rev 2.0  

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