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K7N403201B-QC160

更新时间： 2024-09-15 19:52:43

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	397K
描述
ZBT SRAM, 128KX32, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

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K7N403201B-QC160 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	LQFP,
针数：	100	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	3.5 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
长度：	20 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	ZBT SRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端子数量：	100
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX32
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

K7N403201B-QC160 数据手册

K7N403601B

K7N403201B

K7N401801B

128Kx36/x32 & 256Kx18 Pipelined NtRAM^TM

Document Title

128Kx36 & 128Kx32 & 256Kx18-Bit Pipelined NtRAM^TM

Revision History

Rev.No.

History

Draft Date

Remark

0.0

1. Initial document.

May. 15. 2001

June. 12. 2001

Preliminary

0.1

1. Changed DC parameters

Icc ; from 350mA to 290mA at -16,

from 330mA to 270mA at -15,

from 300mA to 250mA at -13,

ISB1 ; from 100mA to 80mA

0.2

1.0

1. Add x32 org. and industrial temperature

Aug. 11. 2001

Nov. 15. 2001

Preliminary

Final

1. Final spec release

2. Changed Pin Capacitance

- Cin ; from 5pF to 4pF

- Cout ; from 7pF to 6pF

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

- 1 -

November 2001

Rev 1.0

12 3 4 5 6 7...18

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