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K7N401801M-TC10

更新时间： 2024-09-14 14:43:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	388K
描述
ZBT SRAM, 256KX18, 5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

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K7N401801M-TC10 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LQFP,	针数：	100
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	5 ns	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
长度：	20 mm	内存密度：	4718592 bit
内存集成电路类型：	ZBT SRAM	内存宽度：	18
功能数量：	1	端子数量：	100
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX18
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

K7N401801M-TC10 数据手册

K7N403601M

K7N401801M

128Kx36 & 256Kx18 Pipelined NtRAM^TM

Document Title

128Kx36 & 256Kx18-Bit Pipelined NtRAM^TM

Revision History

Rev.No.

History

Draft Date

Remark

0.0

1. Initial document.

July.06. 1998

Oct. 10 . 1998

Preliminary

0.1

1. Changed tCD,tOE from 4.0ns to 4.2ns at -75

2. Changed DC condition at Icc and parameters

ISB1 ; from 10mA to 30mA,

ISB2 ; from 10mA to 30mA.

0.2

0.3

1.0

2.0

3.0

Add VDDQ Supply voltage( 2.5V I/O )

Changed VOL Max value from 0.2V to 0.4V at 2.5V I/O.

Final spec Release.

Dec. 10. 1998

Dec. 23. 1998

Jan. 29. 1999

Feb. 25. 1999

May. 13. 1999

Preliminary

Final

Remove VDDQ Supply voltage( 2.5V I/O )

Add VDDQ Supply voltage( 2.5V I/O )

Final

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

- 1 -

May 1999

Rev 3.0

12 3 4 5 6 7...17

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