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K7N401809B-QI20

更新时间： 2024-09-15 15:36:11

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	399K
描述
ZBT SRAM, 256KX18, 2.8ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

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K7N401809B-QI20 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	LQFP, QFP100,.63X.87
针数：	100	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.6	最长访问时间：	2.8 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e0	长度：	20 mm
内存密度：	4718592 bit	内存集成电路类型：	ZBT SRAM
内存宽度：	18	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX18	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装等效代码：	QFP100,.63X.87	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2.5/3.3,3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大待机电流：	0.05 A	最小待机电流：	3.14 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.33 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

K7N401809B-QI20 数据手册

K7N403609B

K7N401809B

128Kx36 & 256Kx18 Pipelined NtRAM^TM

4Mb NtRAM Specification

100 TQFP with Pb & Pb-Free

(RoHS compliant)

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Rev. 3.0 July 2006

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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K7N401809B-QI220	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX18, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7N403201B-QC13	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 128KX32, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7N403201B-QC16	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 128KX32, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7N403201B-QC160	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 128KX32, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7N403201B-QI13	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 128KX32, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7N403209B-QC20	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 128KX32, 2.8ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
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K7N403209B-QC220	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 128KX32, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7N403209B-QC25	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 128KX32, 2.4ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

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