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K7N401801M-PC15T

更新时间： 2024-09-14 13:59:31

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	388K
描述
ZBT SRAM, 256KX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100

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K7N401801M-PC15T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	QFP, QFP100,.63X.87	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.8	最长访问时间：	3.8 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	150 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	内存密度：	4718592 bit
内存集成电路类型：	ZBT SRAM	内存宽度：	18
端子数量：	100	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX18	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QFP
封装等效代码：	QFP100,.63X.87	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
电源：	2.5/3.3,3.3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.03 A	最小待机电流：	3.14 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.35 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	QUAD
Base Number Matches：	1

K7N401801M-PC15T 数据手册

K7N403601M

K7N401801M

128Kx36 & 256Kx18 Pipelined NtRAM^TM

Document Title

128Kx36 & 256Kx18-Bit Pipelined NtRAM^TM

Revision History

Rev.No.

History

Draft Date

Remark

0.0

1. Initial document.

July.06. 1998

Oct. 10 . 1998

Preliminary

0.1

1. Changed tCD,tOE from 4.0ns to 4.2ns at -75

2. Changed DC condition at Icc and parameters

ISB1 ; from 10mA to 30mA,

ISB2 ; from 10mA to 30mA.

0.2

0.3

1.0

2.0

3.0

Add VDDQ Supply voltage( 2.5V I/O )

Changed VOL Max value from 0.2V to 0.4V at 2.5V I/O.

Final spec Release.

Dec. 10. 1998

Dec. 23. 1998

Jan. 29. 1999

Feb. 25. 1999

May. 13. 1999

Preliminary

Final

Remove VDDQ Supply voltage( 2.5V I/O )

Add VDDQ Supply voltage( 2.5V I/O )

Final

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

- 1 -

May 1999

Rev 3.0

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