Datasheet > K7N401801B-QC130

K7N401801B-QC130

更新时间： 2024-09-14 14:51:51

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	398K
描述
ZBT SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K7N401801B-QC130 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	LQFP, QFP100,.63X.87
针数：	100	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	4.2 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
长度：	20 mm	内存密度：	4718592 bit
内存集成电路类型：	ZBT SRAM	内存宽度：	18
功能数量：	1	端子数量：	100
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX18
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装等效代码：	QFP100,.63X.87
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	2.5/3.3,3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大待机电流：	0.05 A	最小待机电流：	3.14 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

K7N401801B-QC130 数据手册

K7N403601B

K7N401801B

128Kx36 & 256Kx18 Pipelined NtRAM^TM

4Mb NtRAM Specification

100 TQFP with Pb only

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY.

ALL INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED

ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or simi-

lar applications where Product failure couldresult in loss of life or personal or physical harm, or any military

or defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 3.0 July 2006

- 1 -

12 3 4 5 6 7...19

中文翻译

下载PDF

与K7N401801B-QC130相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K7N401801B-QC13T	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100
K7N401801B-QC16	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7N401801B-QC160	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7N401801B-QI13	SAMSUNG	获取价格	128Kx36 & 256Kx18 Pipelined NtRAM
K7N401801B-QI13T	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100
K7N401801B-QI16	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7N401801B-QI160	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7N401801M	SAMSUNG	获取价格	128Kx36 & 256Kx18 Pipelined NtRAM-TM
K7N401801M-PC100	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX18, 5ns, CMOS, PQFP100
K7N401801M-PC130	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100

与K7N401801B-QC130相关文章

SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

80
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

70
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
2024-08-26

100
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
2024-08-23

116

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K7N401801B-QC130

K7N401801B-QC130 技术参数

K7N401801B-QC130 数据手册

与K7N401801B-QC130相关器件

与K7N401801B-QC130相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K7N401801B-QC130

K7N401801B-QC130 技术参数

K7N401801B-QC130 数据手册

与K7N401801B-QC130相关器件

与K7N401801B-QC130相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？