Datasheet > 存储 > SRAM> K7N401801B-QI13

K7N401801B-QI13

更新时间： 2024-09-14 11:27:43

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三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路静态存储器时钟
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128Kx36 & 256Kx18 Pipelined NtRAM

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K7N401801B-QI13 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	LQFP, QFP100,.63X.87
针数：	100	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.4	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	4.2 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	JESD-609代码：	e0
长度：	20 mm	内存密度：	4718592 bit
内存集成电路类型：	ZBT SRAM	内存宽度：	18
功能数量：	1	端子数量：	100
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256KX18
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装等效代码：	QFP100,.63X.87
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	2.5/3.3,3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大待机电流：	0.05 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.25 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

K7N401801B-QI13 数据手册

K7N403601B

K7N401801B

128Kx36 & 256Kx18 Pipelined NtRAM^TM

4Mb NtRAM Specification

100 TQFP with Pb only

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Rev. 3.0 July 2006

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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K7N401801B-QI160	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7N401801M	SAMSUNG	获取价格	128Kx36 & 256Kx18 Pipelined NtRAM-TM
K7N401801M-PC100	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX18, 5ns, CMOS, PQFP100
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